Компания ОАО «Базовые технологии» в рамках проекта «Фазовая_память» ведет разработку высокоскоростной энергонезависимой памяти следующего поколения по инновационной технологии PCM («phase change memory»), основанной на изменении фазового состояния вещества.

Результатом выполнения проекта «Фазовая память» должен стать технологический комплекс, позволяющий организовать мелкосерийное производство интегральных схем, а именно схем PCM-памяти, микроконтроллеров со встроенной PCM-памятью и заказных интегральных схем.

О технологии PCM

Запоминание, хранение и считывание информации в PCM-памяти, получившей наименование «память на основе изменения фазового состояния вещества», базируется на изменении электрического сопротивления малого объема халькогенидного сплава при обратимом фазовом переходе из аморфного в кристаллическое состояние и обратно под воздействием тепла.

Электрический ток, проходя по резистивному электроду, вызывает его нагрев джоулевой теплотой. Этот резистор соединен с халькогенидным материалом, который, в зависимости от силы тока и длительности импульса (температуры нагрева) переходит из аморфного (высокое сопротивление – сброс), в поликристаллическое (низкое сопротивление – установка).

Перспективы РСМ-памяти

РСМ-память обладает свойствами универсальной памяти, что позволяют в будущем заменить с улучшением эксплуатационных и функциональных характеристик все используемые на сегодняшний день традиционные виды памяти.